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关于逆变电源驱动保护的讲解

文章来源:稳压电源公司,时间:2018-05-30 15:44    点击量:

  逆变器是一种常用的电流转换电源,它可以将公共直流转换为所需要的交流电源。在逆变器的H桥中,有时需要将电路中的MOS管替换为IGBT,但在更换之后,很可能发生启动。

  为了避免这种情况,我们可以从峰值电流保护入手,做好驱动和保护工作,确保IGBT不会爆炸。本文详细介绍了该逆变桥H型IGBT单管驱动保护的方法,希望能对您有所帮助。

  H桥电路,称为逆变电源,也可以称为逆变器的后级。在本设计中,需要增加IGBT,与IGBT单管相同的电流容量,比MOSFET相同的电流容量更脆弱,也就是说,在逆变器H桥中,相同的电流容量,MOSFET高于IGBT。

  也许有些朋友认为IrpP460、20A/500V MOSFET和SGH40N60UFD 40A/600 V IGBT应该足以防止爆炸,但实际情况是负载突然加载,或负载突然被吊销后,然后机器就炸机。

  经过不断的实践,实际上,只要遵循一条具体的规则,就可以防止炸机的发生。也就是说,使用峰值电流保护措施可以使IGBT不爆炸,我们看到了这个问题的几个部分:驱动电路、电流采集电路、保护机制。

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